В России создали первую в мире микросхему толщиной с молекулу

Разработка ведется специалистами НИТУ «МИСиС». В ходе эксперимента им удалось создать контролируемый материал на основе частично окисленного оксида бора. Российские ученые работали совместно с коллегами из Национального института материаловедения (Япония), Пекинского транспортного университета (КНР) и Технологического университета Квинсленда (Австралия).

Ученые с помощью суперкомпьютерного кластера Cherry, находящегося в НИТУ «МИСиС», выстроили теоретическую модель нового материала. Далее им удалось создать опытный образец, который полностью соответствовал модели.
Разработанный метод позволяет быстро, просто и дешево получить материал с контролируемой запрещенной зоной, которая определяет, относится ли материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам.
Ширина запрещенной зоны — термин из физики твердого тела. Значение этого параметра определяет, относится ли материал к проводникам, полупроводникам или диэлектрикам. Нанося разное количество кислорода на разные части нитрида бора, можно управлять его «проводимостью» и как бы рисовать на пленке нужную микросхему.
Полупроводники — основа современной электроники. Открытие позволит создавать не микропроцессоры, а нанопроцессоры — в тысячи раз меньше существующих. По словам исследователей, он будет потреблять меньше энергии, что приведет к уменьшению аккумуляторов и появлению массовой «незаметной» электроники — невесомых кардиостимуляторов, дешевых очков с дополненной реальностью или, например, телефонов-сережек.
Также материал может использоваться в фотовольтаике, оптоэлектронике, задачах по хранению энергии, сенсорах и даже биосовместимых структурах.

В России создали первую в мире микросхему толщиной с молекулу

Другие материалы по теме

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *