Стало известно, какими будут первые 10-нанометровые микросхемы Intel

Стало известно, какими будут первые 10-нанометровые микросхемы Intel

Переход к более тонким нормам техпроцесса всегда сопряжен с риском снижения процента выхода годной продукции ниже допустимого предела. Поэтому для освоения технологии лучше подходит продукция с простой топологией, такая, как микросхемы флэш-памяти NAND. В их случае большую часть площади кристалла занимает однородный массив транзисторов, да и затраты на НИОКР существенно меньше, чем в случае сложных логических схем, таких, как процессоры.

Именно микросхему памяти NAND выбрала компания Intel в качестве первого изделия, которое будет выпущено по нормам 10 нм. Кстати, одновременно производитель вводит измененную архитектуру транзистора, которая получила название FinFET Hyper Scaling. Как утверждается, она позволит увеличить плотность компоновки в 2,7 раза по сравнению с показателем, первоначально названным для этапа 10 нм.
В 10-нанометровых микросхемах NAND найдет применение объемная компоновка с 64 слоями. Микросхемы будут предназначены для SSD корпоративного сегмента.

Стало известно, какими будут первые 10-нанометровые микросхемы Intel

Другие материалы по теме

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *