Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Пост опубликован: 22.01.2018


Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Компания Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска первых в отрасли микросхем памяти DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит, изготавливаемых по технологии 10-нанометрового класса второго поколения (1y нм).
Эти микросхемы, предназначеннык для «широкого круга вычислительных систем следующего поколения», являются самыми высокопроизводительными и энергетически эффективными микросхемами DRAM плотностью 8 Гбит.

Если сравнивать новую память с микросхемами DDR4 той же плотности, изготавливаемыми Samsung по технологии 10-нанометрового класса первого поколения (1x нм), выигрыш в производительности достигает 10%, в энергетической эффективности — 15%. Пропускная способность памяти составляет 3600 Мбит/с по одной линии, тогда как у 10-нанометровой памяти первого поколения она была равна 3200 Мбит/с. Производитель отмечает, что прирост обусловлен применением оригинальных схемотехнических решений, а повысить плотность компоновки элементов позволила фирменная разработка, при которой для уменьшения паразитных емкостей используются воздушные зазоры. Кстати, переход ко второму поколению 10-нанометровой технологии выполнен без внедрения литографии EUV.

Samsung серийно выпускает микросхемы DDR4 DRAM плотностью 8 Гбит по 10-нанометровой технологии второго поколения

Другие материалы по теме

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *